圖2.9 芯片座幾何形狀
圖2.10 芯片座簡化設計
2.6.2 導線架(lead frame)簡化設計
LQFP208 型式的導線架腳數間的距離較小且為密集，故省略其導線架上接腳
間的距離。在導線架的熱傳導為連續情況下，可作下圖2.11 和圖2.12 簡化，以避
免增加建立幾何模型的困難度。內腳導線架簡化成板狀設計，而外腳導線架簡化
是將外腳導線架Z 字型簡化為L 字型，簡化如下圖2.13 所示：
圖2.11 導線架簡化設計
圖2.12 內腳導線架簡化設計
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第三章 理論介紹
本章說明研究所應用之基本理論，包含熱的傳遞方式、熱阻的定義、熱對流
系數的決定、CFD 應用理論與模流基本理論。
3.1 熱傳分析基礎理論
熱的傳遞方式依介質的不同可分為傳導、對流及輻射三種。此三種熱傳現象
可同時或個別存在介質間做熱的傳遞，本研究不考慮熱輻射現象。
3.1.1 熱傳導理論
當一物體內有溫度梯度(temperature gradient)存在時，表示能量將會從高溫傳
至低溫。此種能量的傳遞方式稱之為傳導(conduction)，且每單位面積之熱傳導速率
（heat transfer rate）和法線溫度梯度(normal temperature gradient)成正比：

c h ：對流熱傳遞系數（convection heat-transfer coefficient）

圖3.3 熱對流表面在層流下溫度與速度分布圖
由上式可知c h 值對于熱傳遞效率有相當大的影響，有些系統的h 值可用解析法計算求得，但較復雜的情況就必須由實驗來做決定，對流熱傳遞系數有時亦稱為薄膜導率(film conductance)，原因為它與壁面流體靜止層的傳導過程有關。

第四章 CFD 結果與討論
4.1 介紹分析元素
Fluid 142 (3D Fluid-Thermal Element)元素可以使用在流場和熱場中，其分析的區域可包括流場區和非流場區，也能計算出分析區域的流場和溫度分布情況，此外也是瞬時或穩態流場系統流體分析時所使用，如下圖4.1 所示：
圖4.1 Fluid 142 3D Fluid-Thermal Element
熱場分析固體模型時使用Solid 70 (3D Thermal Element)，Solid 70 元素有三維熱傳導功能，每一個元素具有八個節點，而每一個節點都具有單一溫度的自由度，也能夠應用到三維穩態或瞬時的熱分析。如下圖4.2 所示
圖4.2 Solid70 3D Thermal Solid Element

4.2 熱場與流場分析結果
FEM 熱場分析程序
前處理 (Pre-processor)
1.選定適當分析元素：選用ANSYS(3D) element-Solid70。
2.建立幾何分析模型：建立對襯分析模型。
3.定義材料性質：定義各材料之熱傳導系數(thermal conductivity)。
4.建立分析網格：建立適當的網格大小(mesh size)。
求解 (Solution)
5.定義邊界條件：設定大氣溫度為25 °C 。
設定與空氣接觸面積之熱對流系數(此值由熱對流經驗公式
所得)。
6.定義負荷條件：設定芯片發熱功率。
7.求解
后處理 (Post-processor)
8.顯示結果：溫度場分布情形。
9.編緝結果和資料：
CFD 流場熱分析程序
前處理 (Pre-processor)：
1.選定適當分析元素：選用ANSYS(3D) element-Fluid142。
2.建立幾何分析模型：建立對稱分析模型。
3.定義材料性質：定義各材料之熱傳導系數(thermal conductivity)、比熱(specific heat)和密度(density)。
4.建立分析網格：建立適當的網格大小(mesh size)。
求解 (Solution)
5.定義邊界條件：設定風洞溫度為20 °C 。
風洞周圍為墻壁(walls)：設定此面積三方向的速度皆為零。
風速進入處(inflow)：設定風速與實驗條件相同。
風速出口處(outflow)：設定出口壓力與實驗條件相同。
對稱面(symmetry)：設定對稱面的法線方向的速度為零。
6.定義負荷條件：設定芯片發熱功率。
7.求解
后處理 (Post-processor)
8.顯示結果：溫度場與流場分布情形。
9.編緝結果和資料

前處理建立網格時，由于在膠體中內腳導線架的細長比極大，網格(三角網格)需做個別的控制，避免單一元素體積產生太多的銳角和單一體積產生太多的元素數目，導致不良元素產生及計算機運算時間過長。建議將分析模型作適當的簡化，透過適當的等分再利用四方形元素規劃網格，如此可效地控制分析元素數目，并且可避免上述問題。
4.2.1 網格大小分布
在邊界層內，分子混亂運動及流體的整體連動造成對流熱傳遞，靠近界面處速度較小，能量傳遞主要靠分子的混亂運動(擴散)，事實上，在流體及界面的接觸面(y=0)，流體速度為零，擴散則為能量傳遞的唯一方式，沿著x 方向邊界層逐漸成長，流體整體運動的能量傳遞方式漸漸顯得重要。邊界層的現象對于熱對流的研究非常重要，其圖4.3 為平板之邊界層示意圖，所以在作網格分割時，在邊界層需細分之。
圖4.3 平板之邊界層示意圖
平板之自然對流范例
根據Gordon N. Ellison[31] 所著”THERMAL COMPUTATIONS FOR ELECTRONIC EQUIPMENT”的書中；在自然對流下，小面積平板的熱對流分布情況。Ellison 提出當平板上表面溫度高于空氣溫度，并且造成熱對流方向為向上時(圖4.4)，適用于小面積平板各點的熱對流系數公式4.1，此公式的單位為watt/ in2，經過單位轉換為watt/m2 如公式4.2 所示。

ti:第ｉ層厚度(m) ki:第ｉ層熱傳導系數（W/moC）kxx、kyy:In-plane 熱傳導系數 kzz:厚度方向熱傳導系數圖4.5 TSOP50 三角網格示意圖
圖4.5 為TSOP50 FEM 熱場分析模型建立，利用IGES 格式將其電子構裝之內腳圖傳入ANSYS 軟件中，即可快速地建出三維1/2 分析模型，其結構位置和三角網格示意圖。在此PCB 板的熱傳導性質是利用公式(4.7)(4.8)等效性質計算出來，以減少建立模型所花費時間。FEM 熱場分析時，TSOP50 表面與空氣的熱對流系數是采用QFP 熱對流經驗公式3.11 和3.12；并非采用SOP 之熱對流經驗公式，其原因為是SOP 之熱對流經驗公式并無明確說明適用于自然對流或強迫對流情況，而且在業界并不采用此計算方式，因此以QFP 熱對流經驗公式代替之。CFD 流場-熱分析時，并不需要設定電子構裝體表面與空氣的熱對流系數，只需設定實驗風洞邊界條件即可；由公式(4.5)(4.6)計算出出其熱邊界厚度約為0.17mm，并在此范圍內作網格細分。
以下則列出相同功率下實驗之最高溫度與熱阻值、相同功率下FEM 熱場模擬之最高溫度與熱阻值和相同功率下CFD 流場-熱場仿真之最高溫度與熱阻值，其熱阻值計算可參考公式3.14，并且列出模擬熱阻值與實驗熱阻值的誤差量。下圖4.6是TSOP50 熱場分析結果(1.04W)，由圖可知構裝體中心位置為溫度最高處其溫度，隨著遠離中心溫度呈遞減現象，同樣在印刷電路板方面亦有相同的遞減效果。

自然對流下，功率與最高溫的關系：
實驗值自然對流(natural convection)
功率 芯片溫度°C 外界溫度°C 熱阻值°C/W
0.316w 69.2 31.6 120.2532
0.485w 83.8 32.2 106.3918
0.773w 112.2 30.8 105.3040
1.040w 135.0 30.4 100.5769
1.319w 161.8 30.4 99.6209

 

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