致謝：感謝原作者周永存老師，僅供學(xué)習(xí)使用，不當(dāng)之處敬請指正！
近年來，小型化、集成化已成為電子設(shè)備的發(fā)展趨勢。隨著電子設(shè)備功率的不斷增加，產(chǎn)生的熱量急劇增加。
熱界面材料（Thermal Interface Material, TIM）能夠有效改善兩個固體界面之間的傳熱，對電子設(shè)備的性能、使用壽命和穩(wěn)定性起著重要的作用。在這種情況下，對熱管理提出了更高的要求，TIM的創(chuàng)新和優(yōu)化也備受關(guān)注。
本文綜述了TIM的最新研究進(jìn)展，討論了應(yīng)用廣泛的高分子材料的流變性建模與設(shè)計(jì)，討論了導(dǎo)熱填料對復(fù)合材料性能的影響。許多研究表明，一些高熱導(dǎo)率和低損耗陶瓷填充聚合物很適合用于電子器件封裝。
制備用于電子封裝的高導(dǎo)熱高分子復(fù)合材料一直是人們關(guān)注的問題。最后對存在的問題進(jìn)行了討論，并對未來的研究方向進(jìn)行了展望。
關(guān)鍵詞：熱界面材料；熱導(dǎo)率；熱管理；建模
TIM中的有機(jī)-無機(jī)復(fù)合材料
常見的聚合物導(dǎo)熱系數(shù)低，在各種設(shè)備中使用時不能有效散熱，高熱膨脹系數(shù)導(dǎo)致熱失效。
TIM的有機(jī)-無機(jī)復(fù)合材料越來越受到人們的關(guān)注。由于其低密度、易形成、化學(xué)惰性、低成本和電氣絕緣等特點(diǎn)，在行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。在聚合物中加入導(dǎo)熱填料可以顯著改善封裝材料的熱性能。
有關(guān)導(dǎo)熱聚合物復(fù)合材料的文獻(xiàn)尤其關(guān)注于不同種類的陶瓷或納米碳纖維的應(yīng)用。
不同的納米顆粒被用來提高聚合物的導(dǎo)熱性，然而在大多數(shù)文章中，熱性能和其他性能仍然不夠好，因此，在電和熱管理方面仍需要改進(jìn)，需要有一個平衡點(diǎn)。
所有復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)很大程度上取決于聚合物和填料的性質(zhì)，如它們的含量、成分和填料的表面處理。必須指出的是，復(fù)合材料中的氣孔、雜質(zhì)等缺陷是影響復(fù)合材料有效導(dǎo)熱系數(shù)的一個非常重要的因素。
3.1 聚合物基質(zhì)材料
傳統(tǒng)聚合物的導(dǎo)熱性是通過加入如石墨、炭黑、碳纖維、陶瓷和金屬等高導(dǎo)熱填料來提高的，這些填料具有很高的導(dǎo)熱性，有些如碳納米管、金剛石等甚至高達(dá)幾千W/mK。
在聚合物中加入導(dǎo)熱填料可以顯著提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。為了達(dá)到適當(dāng)?shù)臒釋?dǎo)率水平，通常需要導(dǎo)熱聚合物的高填充量（>35 vol%），這是一個重大的加工挑戰(zhàn)，但提高了復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)的同時，大量無機(jī)填料的加入也顯著改變了聚合物的力學(xué)性能和密度。
目前，獲得導(dǎo)熱系數(shù)高于4W/mK且具有常規(guī)聚合物加工能力的復(fù)合材料具有很大的挑戰(zhàn)性。
所有聚合物基材的一個共同特征是低導(dǎo)熱性，在0.1到0.3 W/mK之間變化，雖然可以使用多樣的基質(zhì)材料，但大多數(shù)研究都是在兩種主要類型的聚合物上進(jìn)行的：環(huán)氧樹脂和硅油。主要的區(qū)別是，環(huán)氧樹脂作為粘合劑，可應(yīng)用于芯片固定，而硅油需要外力夾緊，硅油是許多常見類型的熱潤滑脂的基本材料。
3.2 陶瓷
陶瓷具有電絕緣的額外優(yōu)點(diǎn)，這限制了其他材料的應(yīng)用。在這些陶瓷中，BN具有最高的熱導(dǎo)率，而且據(jù)報(bào)道，非常薄的BN薄片的熱導(dǎo)率甚至更高，這使得它成為熱管理應(yīng)用研究中大家有興趣關(guān)注的材料。
早在1998年，Ishida等人[76]就報(bào)道了BN填充聚苯并噁嗪的導(dǎo)熱系數(shù)為32.5W/mK，盡管填充分?jǐn)?shù)很高(88% wt%)，但仍是迄今為止的最高值。
最近，BN在硅酮熱墊[56]，環(huán)氧樹脂[54,75]和其他聚合物基體[52,55]中得到了進(jìn)一步的研究。另一種引起學(xué)術(shù)界興趣的陶瓷是AlN[58，59]，也和商業(yè)上很流行的Al2O3一起使用。
3.3 金屬
金屬具有非常高的本征體熱導(dǎo)率和良好的操作性能。目前最好的、填充有Ag薄片的商業(yè)熱潤滑脂的導(dǎo)熱系數(shù)約為8 W/mK。金屬填料的最新研究進(jìn)展集中在使用金屬納米線(NWs)而不是球形填料。
CNTs被認(rèn)為具有前景的一個原因是其1維結(jié)構(gòu)，它可以在比球形填料填充率低得多的情況下形成滲濾網(wǎng)絡(luò)，金屬納米線具有相似的1維結(jié)構(gòu)，可以在極低的填充分?jǐn)?shù)下大幅度提高導(dǎo)熱系數(shù)。
Ag是商業(yè)化合物中最常用的金屬填料，是天然的候選材料，已通過電沉積模板[61,77]或化學(xué)工藝證明可以做為TIM的填料[62,53]。電沉積法形成了高度排列的網(wǎng)絡(luò)，與隨機(jī)分散法相比，其熱導(dǎo)率顯著提高，如30.3W/mK[61]對比1.4W/mK[ 53]。此外，Pashayi等人在基于PVP包覆Ag納米顆粒的團(tuán)聚和燒結(jié)基礎(chǔ)上，制備出了一種自結(jié)構(gòu)的金屬納米線網(wǎng)絡(luò)，其在48 vol%下的熱導(dǎo)率高達(dá)38.5W/mK，同時對其它種類金屬也進(jìn)行了研究。Wang等人發(fā)現(xiàn)CuNWs比AgNWs在較低的填充率下具有更大的導(dǎo)熱性增強(qiáng)，在0.9wt%的較低填充率時達(dá)到了2.46W/mK的熱導(dǎo)率[53]，其他被研究的金屬有鎳[79，80]和金[63]。
除了在納米線方面的工作外，還有一些研究工作聚焦在降低金屬和聚合物的接觸熱阻，使用具有納米多孔Al2O3殼的改性FeCr納米顆粒來降低粒子-基體界面的聲子散射[65]。另外，Jeong等人[64]最近在PDMS基質(zhì)中引入了液態(tài)金屬填料的概念，以便能夠生產(chǎn)出導(dǎo)熱、但又靈活且可拉伸的熱彈性體。
3.4 混合填料
一種在較低填充率下提高熱導(dǎo)率的方法是將不同的填料組合成相同的TIM基質(zhì)，即混合填料。
不同的填料會產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)，使有效導(dǎo)熱系數(shù)超過模型的預(yù)期。協(xié)同效應(yīng)背后最常見的機(jī)制是填料的尺寸變化，這有助于形成滲透網(wǎng)絡(luò)（見圖9），并提高填充比[50，55，81]或長徑比變化，其中由高長徑比填料形成的滲透網(wǎng)絡(luò)可以與塊體和2維填料的體熱輸運(yùn)特性相結(jié)合[82]。
已報(bào)道的混合填料組合通常包括不同維度（1維、2維或3維）的填料材料。Lee等人在2006年展示了將1維棒與球形顆粒混合的概念[83]。最近的研究進(jìn)展包括BN/MWCNTs[67,68,84]，BN/CNFs[66]和GO/CNT[69,70]等混合復(fù)合材料的研究，它們都結(jié)合了1維和2維填料，比1維/球形填料更能有效地形成導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)[68]。
由于3維球形和2維片狀填料已經(jīng)作為商用化合物存在，向商用熱潤滑脂中添加高長徑比填料，已證明是研究球形/高長徑比混合填料協(xié)同效應(yīng)的常用方法[50,71,85,86]。
其中，通過將石墨烯和多層石墨烯的優(yōu)化混合物以2 vol%的低填充率添加到導(dǎo)熱脂中，可得到迄今為止報(bào)告的最高導(dǎo)熱值14W/mK[50]。此外，在熱潤滑脂中添加MWCNTs也直接表明可以降低正在運(yùn)行的微處理器的溫度[86]。
3.5 碳納米管陣列TIMs
由于單根碳納米管之間的高接觸熱阻，碳納米管作為PLPs填料的成功率有限。一個垂直排列的碳納米管陣列橫跨基板之間的整個間隙，將消除所有內(nèi)部界面，可能是在TIM應(yīng)用中利用碳納米管高熱性能的一種實(shí)用方法[87]。不同CNT陣列TIM的可能配置如圖5所示。
如圖11（a）所示，碳納米管陣列TIM通過CVD法在基底上生長CNT陣列，并且在壓力下與另一基片接觸組成。如式（1）所示，碳納米管陣列TIM的界面熱阻取決于生長基底和連接基片處的接觸熱阻，以及碳納米管陣列的固有熱導(dǎo)率，碳納米管陣列的熱導(dǎo)率又取決于每個碳納米管的熱導(dǎo)率和陣列中的碳納米管密度。在生長基底上，每個碳納米管都有一個連接，而在相對的基片上，只有部分碳納米管（σ）能有效地促進(jìn)熱傳輸。下一節(jié)將討論每個參數(shù)。
碳納米管的熱導(dǎo)率可以達(dá)到3000W/mK[88,89]，但由于碳納米管密度低及其本身的缺陷和瑕疵，碳納米管陣列體積值要低得多[90]。文獻(xiàn)報(bào)道，在填充率約為10%時，熱導(dǎo)率測量值高達(dá)267W/mK[91]，對應(yīng)于接近已報(bào)道的單根CNT的熱導(dǎo)率最高值。
然而，碳納米管陣列的更典型值約為10W/mK[90]，測量的熱導(dǎo)率值與理論值之間存在較大差異，在中位線（<30μm）處，熱導(dǎo)率相對界面熱阻的影響相對較小[92]。
用光聲法測量了0.241Mpa下Si-CNT-Ag界面熱阻，當(dāng)Si-CNT的界面熱阻為1.7Kmm2/W，CNT-Ag界面熱阻為14Kmm2/W時，體碳納米管陣列的熱阻小于0.1Kmm2/W[93]。
這一結(jié)果及其他結(jié)果[91,94]，表明接觸熱阻占主導(dǎo)地位，碳納米管尖端與對應(yīng)基片之間的接觸熱阻比碳納米管根部與生長基片之間的接觸熱阻高一個數(shù)量級。兩側(cè)接觸熱阻的巨大差異，主要是由于與相對基片接觸的碳納米管約為總量的15%，比例相對較低。
碳納米管間的熱傳導(dǎo)可以忽略不計(jì)，只有與兩個表面接觸的碳納米管才對熱傳導(dǎo)有顯著貢獻(xiàn)[94,95]。另一個影響因素是基片側(cè)連接相對良好的碳納米管，是以共價(jià)鍵形式結(jié)合到催化劑顆粒上[96]，而尖端的碳納米管是以弱的范德華力結(jié)合。
根據(jù)催化劑沉積方法的不同，催化劑顆粒與基底之間的弱粘附性也會顯著影響總接觸熱阻，如Panzer等人揭示[95]浸涂催化劑沉積比PVD沉積會導(dǎo)致更高的接觸熱阻。
由于單根碳納米管的屈曲會造成其與基片的額外接觸，低比例的碳納米管陣列連接使其界面熱阻會對壓力產(chǎn)生依賴性，這使得碳納米管陣列的模量成為一個需要控制的重要參數(shù)。
在單根碳納米管和基底之間的界面處，也存在Kapitza熱阻。Li等人對碳納米管與各種金屬和聚合物之間的邊界熱阻進(jìn)行了研究[98]。有趣的是，碳納米管-聚合物界面處的邊界熱阻明顯低于碳納米管-金屬界面處的邊界熱阻，這是由于金屬缺乏類似聚合物的低頻振動模重疊，結(jié)果表明，盡管聚合物本身的導(dǎo)熱性較差，但與聚合物的鍵合可能是降低邊界熱阻的一種方法。
為了消除針尖-基片界面熱阻，可以在兩個匹配的基片上生長碳納米管陣列，有效地將針尖-基片界面替換為碳納米管-碳納米管界面和第二個碳納米管根-基片界面,結(jié)果見圖11（b）。實(shí)驗(yàn)表明，Si-CNT-CNT-Cu界面的熱阻值明顯低于Si-CNT-Cu直接接觸的熱阻值[93]，但CNT-CNT界面仍顯示出明顯的接觸熱阻[99]。
自從碳納米管(CNT) [100]被證明具有非常高的熱導(dǎo)率以來，各種各樣的CNT基復(fù)合材料被提出和評價(jià)[101-104]。雖然CNTs是很有前途的TIM填料候選者，但由于CNTs本身具有較大的導(dǎo)電性，CNTs的界面熱阻扮演了重要角色，使CNTs的作用受到很大限制[105]。
Huxtable等人[106]對CNTs和各種液體之間的Rb進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測量，結(jié)果表明Rb的值很大為8.33×10(8)Km2/W。Prasher等人[107]最近計(jì)算了多壁碳納米管(MWCNT)在水平和垂直接觸時的界面熱阻，結(jié)果表明MWCNTs呈現(xiàn)出類似石墨的導(dǎo)熱形式，垂直接觸時的接觸熱阻小于水平接觸時的接觸熱阻。
Nan等人[105]最近提出了一種簡化有效介質(zhì)模型來計(jì)算CNT基復(fù)合材料的當(dāng)量。Hu等人[108]進(jìn)行了CNT基TIM的可行性研究，表現(xiàn)出在非常小的體積分?jǐn)?shù)下實(shí)現(xiàn)滲透閾值的潛力。纖維基復(fù)合材料的另一個問題，是由于其高屈服應(yīng)力使得BLT較高。因此，與λTIM相比，總熱阻是更合適的度量標(biāo)準(zhǔn)，以便在CNT基TIM和傳統(tǒng)TIM之間進(jìn)行公平的比較。
Xu和Fisher [109]直接在硅背面生長碳納米管，然后將熱分散器壓在生長的碳納米管上。圖12給出了概念示意圖。他們還將PCM-TIM和生長的碳納米管結(jié)合起來以降低熱阻。該概念的熱阻由Hu等人[110]進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測量，如圖13所示。
這個概念目前還沒有物理模型，然而，垂直生長的CNT基TIM看起來很有前途。如果不與聚合物結(jié)合，那么這一概念就不會受到基于聚合物TIM的可靠性問題的影響。
這一概念具有很好的潛力，并可能引發(fā)各種創(chuàng)造性的想法，如Xu和Fisher[111]，他們將PCMTIMs與垂直生長的CNT結(jié)合使用，Tong等人[112]使用薄層銦和垂直生長的CNT相結(jié)合。Wasniewski[113]和Barako[114]在Tong等人的概念基礎(chǔ)上，分別制作金屬結(jié)合CNT和焊料結(jié)合CNT，在干燥的非結(jié)合接觸中，邊界熱阻顯著降低了30倍。與碳納米管相關(guān)的其他開發(fā)工作包括：雙層排列碳納米管（BACNT）[115]，納米銅顆粒與MWCNT復(fù)合材料[116]，轉(zhuǎn)移VACNT[117]，活性金屬鍵合VACNT[118]。
除了碳納米管，研究人員還提出納米顆粒作為TIM填料[119，120]。然而，由于Rb在納米顆粒復(fù)合材料中起主導(dǎo)作用，納米顆粒與碳納米管面臨同樣的問題。Putnam等人[121]測定了聚合物與氧化鋁之間的Rb在2.5×10(8)～5×10(8)Km2 /W范圍內(nèi)。
這意味著臨界半徑（α=1）在5-10nm之間的納米復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)小于基體導(dǎo)熱系數(shù)。含顆粒聚合物的屈服應(yīng)力隨著顆粒直徑的減小而增大[25]，導(dǎo)致含納米顆粒TIM的BLT高于常規(guī)TIM。因此，目前尚不清楚納米復(fù)合材料是否真的能作為TIM填料發(fā)揮巨大作用。除了納米顆粒外，納米結(jié)構(gòu)聚合物還被用作金屬基質(zhì)載體（MMC）與焊料形成復(fù)合材料。
Carlberg[122]使用直徑2μm的纖維和In/Bi/Sn合金組成的多孔網(wǎng)絡(luò)組成的電紡聚合物膜形成復(fù)合材料，導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到8 W/mK。Zanden[123]利用靜電紡絲聚酰胺纖維膜與銦焊料形成復(fù)合材料，其導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)22W/mK。
MMC是一種提高集成焊料在TIM應(yīng)用可能性的很有前途的材料[124]。石墨納米片（GNP）也是環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的一種有效填料。當(dāng)嵌入環(huán)氧樹脂基體中時，25 vol%的負(fù)載量就可以超過需要70 vol%的負(fù)載量才能達(dá)到相同熱導(dǎo)率的傳統(tǒng)填料的性能[125]。當(dāng)將GNP與炭黑（CB）進(jìn)行比較時，盡管GNP具有較高的熱導(dǎo)率，但由于其比CB具有較高的BLT，因此GNP的有效性受到限制[126]。
Xiang [127]研究了剝離GNP對提高PCM導(dǎo)熱性能的影響。只要5vol%的GNP，就能得到2.4W/mK的導(dǎo)熱系數(shù)。Shtein[128]施加高壓縮力來縮小相鄰GNP之間的間隙，從而得到導(dǎo)熱系數(shù)為12.4W/mK的GNP基復(fù)合材料。
石墨烯、多層石墨烯[129]、雜化石墨烯金屬復(fù)合材料[130]，可以分別提供高達(dá)5.1和9.9W/mK的熱導(dǎo)率。理論分析表明，基于石墨烯的TIM由于其幾何結(jié)構(gòu)、機(jī)械柔韌性和較低的Kapiza熱阻，可以優(yōu)于碳納米管和納米顆粒填料。
TIM熱性能表征
電子應(yīng)用中熱界面材料的表征是保證產(chǎn)品及時上市的必要條件。本節(jié)將簡要回顧測試TIM的方法。
許多TIM測試儀器[131,132]都是在ASTM D5470-93的基礎(chǔ)上開發(fā)的[133]。本測試儀器可作為一個簡單的新TIM快速基準(zhǔn)測試工具，而不需要花費(fèi)時間和費(fèi)用來完成測量設(shè)備的組裝。
測試人員通常在不同控制厚度 (例如,使用間隔器[134])或在控制壓力下來測試材料,同時能夠直接用激光測微計(jì)[135]，光學(xué)測微計(jì)[136]感應(yīng)傳感器[122]測量不同厚度，或者一個應(yīng)變計(jì)，可以感應(yīng)到兩個配合面之間的距離變化引起的變形[137]。
Chiu等人[133]證明，該測試儀能夠在95%的置信水平下，以0.03℃-cm2 /W的再現(xiàn)性，評估TIM的熱阻抗。Chiu等人對測試儀器進(jìn)行了進(jìn)一步的修改，用于非平面間TIM特性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
除了由ASTM D5470-93進(jìn)行穩(wěn)態(tài)測量外，還使用了包括激光閃射[138,139]在內(nèi)的幾種瞬態(tài)熱分析技術(shù)進(jìn)行TIM的表征，在Smith中可以找到穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)方法的比較[139]。
此外,光聲(PA)技術(shù)[140]、3ω法[141]、瞬態(tài)熱反射(TTR) [142]、紅外顯微鏡[143]、和Parker法(熱板和一個紅外攝像頭)[144]被廣泛用于TIM表征。然而，所有這些方法都不能捕捉到實(shí)際封裝中TIM和應(yīng)用環(huán)境中散熱器的交互作用。有幾篇論文描述了如何通過使用不同的熱測試手段來表征TIM性能。
為了解TIM的可靠性性能，Chiu等人[148]使用一種加速可靠性測試方法來預(yù)測倒裝芯片應(yīng)用中的熱潤滑脂泵出。Morris [149]在實(shí)際的功率循環(huán)條件下測試了散熱器和IGBT模塊之間多種TIMs，以最終選擇材料。Bharatham等人[150]研究了FCBGA(倒裝芯片球柵陣列)裸片封裝中不同壓力對相變TIM的影響。Due[151]回顧了TIM常用的可靠性測試，包括高溫和濕度應(yīng)力測試、高溫存儲(或烘烤)、溫度循環(huán)(TC)和功率循環(huán)(PC)，此外，強(qiáng)制機(jī)械循環(huán)(FMC)、預(yù)處理、熱重分析(TGA)、差示掃描量熱法(DSC)也是TIM的適用測試[151]。
所有這些測試方法都是用來捕獲可能的可靠性問題，而這些可靠性問題是很難通過理論或數(shù)值模擬來預(yù)測的。對于封裝工程師來說，在產(chǎn)品上市之前，通過各種可靠性測試來驗(yàn)證TIM在實(shí)際產(chǎn)品上的性能是非常重要的。
總結(jié)與展望
本文綜述了國內(nèi)外關(guān)于TIM導(dǎo)熱的研究現(xiàn)狀，并針對不同填料的改性對提高電子封裝用復(fù)合材料綜合性能的影響進(jìn)行了探討。
對于未來的研究，有一些關(guān)鍵問題：
1） 未來的建模工作將集中在界面殼層，以操縱和理解納米顆粒填料和聚合物基質(zhì)之間的相互作用。根據(jù)目前工作綜述，可以清楚地看到，一些高導(dǎo)熱填料填充聚合物很適合用于電子器件的封裝。然而，要獲得足夠有效的導(dǎo)熱復(fù)合材料以滿足大多數(shù)新的市場應(yīng)用要求，仍需取得重大進(jìn)展。
2） 減少填料的負(fù)載。如前所述，所有復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)在很大程度上取決于填料的性能，它們隨填料負(fù)載量的增加而增大。然而，高無機(jī)填料負(fù)載也會顯著改變復(fù)合材料的力學(xué)行為，這是工業(yè)生產(chǎn)不愿面對的問題。因此，減少填料的添加是提高復(fù)合材料性能的必要條件。
3） 填料的表面處理有利于提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)和降低介電常數(shù)，是今后研究的一種較好的制備方法。
目前的商用TIM能夠?yàn)樾聵悠诽峁?.03到0.1℃cm2/W之間的熱阻[152]，如前所述，在大范圍暴露于高溫下會降解，熱性能會嚴(yán)重退化，具體取決于操作溫度和暴露時間。
對于這些降解沒有機(jī)制上的理解，因此需要基于基礎(chǔ)物理模型來將聚合物性能的降解與聚合物復(fù)合材料的熱性能聯(lián)系起來。納米顆粒和納米管的使用幾乎是不可避免的，但這一領(lǐng)域的任何研究人員都應(yīng)該用目前市面上可以買到的TIMs為基準(zhǔn)來對比衡量他們新產(chǎn)品的熱性能[152-166]。
同時應(yīng)該重點(diǎn)研究整體熱阻的最小化，而不是僅僅關(guān)注于增加熱導(dǎo)率，由于BLT和λTIM之間的競爭效應(yīng)，雖然λTIM隨著體積分?jǐn)?shù)的增加而增大，但體熱阻卻達(dá)到最小值。
從文獻(xiàn)上看，目前還沒有一個很好的物理模型來描述負(fù)載顆粒的TIMs與基片之間的接觸熱阻，接觸熱阻將成為薄TIMs的重點(diǎn)。由于具有很好的應(yīng)用前景，垂直生長碳納米管陣列的熱阻建模也將是未來研究的熱點(diǎn)。
在現(xiàn)有技術(shù)上有許多改進(jìn)和漸進(jìn)的變化，例如PLPs和連續(xù)金屬相TIMs，它們將繼續(xù)為當(dāng)前的應(yīng)用提供不斷提高的性能。此外，正積極開發(fā)面向工業(yè)應(yīng)用的技術(shù)，例如碳納米管陣列TIMs，將改變未來的TIM市場。
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